Módulo IGBT, SK 150 MLI 066 T, N-Canal, 151 A, 600 V, SEMITOP4, 70-Pines Serie
- Código RS:
- 905-6166
- Referência do fabricante:
- SK 150 MLI 066 T
- Fabricante:
- Semikron Danfoss
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- 905-6166
- Referência do fabricante:
- SK 150 MLI 066 T
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- Semikron Danfoss
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Semikron Danfoss | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 151 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | SEMITOP4 | |
| Configuración | Serie | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 70 | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Dimensiones | 55 x 60.25 x 15.08mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
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|---|---|---|
Marca Semikron Danfoss | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 151 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado SEMITOP4 | ||
Configuración Serie | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 70 | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Dimensiones 55 x 60.25 x 15.08mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
- COO (País de Origem):
- IT
Módulos IGBT cuádruples
La configuración de serie de estos módulos IGBT cuádruples de Semikron los convierte en la solución perfecta para aplicaciones que requieren un alto rendimiento con topología de 3 niveles. Estos módulos compactos para montaje en PCB SEMITOP 3 cuentan con fijación de un solo orificio con una excelente transferencia de calor y utilizan tecnología Trench IGBT. Las aplicaciones típicas incluyen inversores dc-ac de 3 niveles y fuentes de alimentación SAI.
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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