- Código RS:
- 864-8786
- Referência do fabricante:
- FGA50S110P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 864-8786
- Referência do fabricante:
- FGA50S110P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1100 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
Disipación de Potencia Máxima | 300 W |
Tipo de Encapsulado | TO-3PN |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 864-8786
- Referência do fabricante:
- FGA50S110P
- Fabricante:
- ON Semiconductor