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    Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico

    Código RS:
    838-6923
    Referência do fabricante:
    FS75R12KE3GBOSA1
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon

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    Código RS:
    838-6923
    Referência do fabricante:
    FS75R12KE3GBOSA1
    Fabricante:
    Infineon

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    Módulo IGBT, Infineon


    La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
    Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

    Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


    IGBT discretos y módulos, Infineon


    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

    Especificações

    AtributoValor
    Corriente Máxima Continua del Colector100 A
    Tensión Máxima Colector-Emisor1.200 V
    Tensión Máxima Puerta-Emisor±20V
    Disipación de Potencia Máxima355 W
    ConfiguraciónPuente trifásico
    Tipo de EncapsuladoECONO3
    Tipo de MontajeMontaje en PCB
    Tipo de CanalN
    Conteo de Pines35
    Velocidad de Conmutación1MHZ
    Configuración de transistorTrifásico
    Dimensiones122 x 62 x 17mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+125 °C
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