Infineon Módulo IGBT, Tipo N-Canal, 300 A, 1200 V, Módulo 62MM, 5 pines Abrazadera, 800 ns
- Código RS:
- 752-8170
- Referência do fabricante:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 752-8170
- Referência do fabricante:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 300A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1550W | |
| Encapsulado | Módulo 62MM | |
| Tipo de montaje | Abrazadera | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 5 | |
| Velocidad de conmutación | 800ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 3.7V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 36.5mm | |
| Anchura | 61.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56 | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 300A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1550W | ||
Encapsulado Módulo 62MM | ||
Tipo de montaje Abrazadera | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 5 | ||
Velocidad de conmutación 800ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 3.7V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 36.5mm | ||
Anchura 61.4 mm | ||
Certificaciones y estándares DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56 | ||
Longitud 106.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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