IGBT, STGD4H60DF, 4 A, 600 V, DPAK, 3-Pines 1
- Código RS:
- 287-7045P
- Referência do fabricante:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 30 - 58 | 0,43 € |
| 60 - 118 | 0,385 € |
| 120 - 238 | 0,345 € |
| 240 + | 0,305 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 287-7045P
- Referência do fabricante:
- STGD4H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 4 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK | |
| Configuración | Colector único, emisor simple, puerta simple | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 75 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado DPAK | ||
Configuración Colector único, emisor simple, puerta simple | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El tope de campo de compuerta de zanja de STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una avanzada estructura de tope de campo de compuerta de zanja patentada. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Baja resistencia térmica
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida
Capacidad de cortocircuito
Diodo antiparalelo de recuperación suave y rápida