Módulo IGBT, DDB6U75N16W1RBOMA1, 69 A, 1200 V, Módulo

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bandeja de 24 unidades)*

831,048 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 24 unidade(s) para enviar a partir do dia 12 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bandeja*
24 - 9634,627 €831,05 €
120 +31,741 €761,78 €

*preço indicativo

Código RS:
273-7360
Referência do fabricante:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

69 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Disipación de Potencia Máxima

335 W

Tipo de Encapsulado

Módulo

Tipo de Montaje

Montaje en panel

Los módulos de puente de diodos Infineon con chopper de freno y NTC para un diseño de convertidor más compacto. Tiene una tensión inversa de pico repetitiva de 1.600 V y una corriente de avance RMS máxima de 65 A por chip.

Resistencia térmica
Aislamiento interno Al2O3
Disipación de potencia total 335 W
Corriente de avance dc continua de 15 A

Links relacionados