Infineon Módulo IGBT, DDB6U75N16W1RBOMA1, 69 A, 1200 V, Módulo, 8 pines Panel

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Código RS:
273-7360
Referência do fabricante:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

69A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

335W

Encapsulado

Módulo

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61140, EN61140

Altura

16.4mm

Longitud

62.8mm

Estándar de automoción

No

Los módulos de puente de diodos Infineon con chopper de freno y NTC para un diseño de convertidor más compacto. Tiene una tensión inversa de pico repetitiva de 1.600 V y una corriente de avance RMS máxima de 65 A por chip.

Resistencia térmica

Aislamiento interno Al2O3

Disipación de potencia total 335 W

Corriente de avance dc continua de 15 A

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