Infineon IGBT Puente completo, 105 A, 1200 V, AG-ECONO2B-311 Chasis
- Código RS:
- 258-0900
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT3BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bandeja de 15 unidades)*
1 580,58 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 15 + | 105,372 € | 1 580,58 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-0900
- Referência do fabricante:
- FS75R12KT3BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 105A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 355W | |
| Configuración | Puente completo | |
| Encapsulado | AG-ECONO2B-311 | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 105A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 355W | ||
Configuración Puente completo | ||
Encapsulado AG-ECONO2B-311 | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de seis paquetes Infineon EconoPACK 2 de 1.200 V, 75 A con TRENCHSTOP IGBT3 rápido, diodo HE controlado por emisor y NTC.
Alta densidad de potencia
Diseño de módulo de baja inductancia de desviación
Links relacionados
- IGBT, FS75R12KT3BPSA1, 1.200 V, AG-ECONO2B-311
- IGBT, FS75R12KE3BPSA1, 1.200 V, AG-ECONO2B-311
- IGBT, FS50R12KE3BPSA1, 1.200 V, AG-ECONO2B-311
- IGBT, FS50R12KT4B15BPSA1, 50 A, 1.200 V, AG-ECONO2B-411
- Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BPSA1, 1.200 V, AG-ECONO2B-411
- Módulo IGBT, TDB6HK180N16RRB11BPSA1, AG-ECONO2B-411
- Módulo IGBT, TDB6HK180N16RRBPSA1, AG-ECONO2B-411
- Infineon IGBT Trifásico, 50 A, 1200 V, AG-ECONO2B-411 Chasis
