Bourns IGBT, 100 A, 650 V, TO-247
- Código RS:
- 253-3508
- Referência do fabricante:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
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- Código RS:
- 253-3508
- Referência do fabricante:
- BIDW50N65T
- Fabricante:
- Bourns
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Bourns | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 100A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.65V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Bourns | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 100A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.65V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación. Además, esta estructura proporciona una menor resistencia térmica R(th).
650 V, 50 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Optimizado para conducción
Conforme con RoHS
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