IGBT, BIDNW30N60H3, 30 A, 600 V, TO-247N 1

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Código RS:
253-3503
Referência do fabricante:
BIDNW30N60H3
Fabricante:
Bourns
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Marca

Bourns

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

230 W

Tipo de Encapsulado

TO-247N

Configuración

Diodo simple

El dispositivo IGBT de Bourns combina tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar para un componente óptimo para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la tecnología de puerta de trinchera de parada de campo que proporciona un mayor control de las características dinámicas con una tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat)) más baja y menos pérdidas de conmutación.

600 V, 30 A, baja tensión emisor-colector de saturación (VCE(sat))
Tecnología de puerta de trinchera de parada de campo
Pérdida de conmutación baja
Conmutación rápida
Conforme con RoHS

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