IGBT, IKQ75N120CS6XKSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, PG-TO247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6111
- Referência do fabricante:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 226-6111
- Referência do fabricante:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 25V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 880 W | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 25V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 880 W | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El IGBT Infineon 5 A con diodo antiparalelo es muy suave, diodo antiparalelo de recuperación rápida y tiene un comportamiento estable a temperatura y alta resistencia. Utilizaba una carga de compuerta baja.
EMI bajo
Carga de compuerta baja Qg
Tensión de saturación baja de IF 1,85 V combinada con bajas pérdidas de conmutación
Carga de compuerta baja Qg
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