IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple

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Opções de embalagem:
Código RS:
202-5677
Referência do fabricante:
FGHL50T65SQDT
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

100 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30.0V

Disipación de Potencia Máxima

134 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Los IGBT DE on Semiconductor ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversor solar, SAI, soldador, telecomunicaciones, ESS y PFC donde son esenciales bajas pérdidas de conducción y conmutación.

Temperatura de conexión máxima de 175 °C.
Capacidad de corriente alta
Alta impedancia de entrada
Conmutación rápida
Apretar la distribución de los parámetros
Sin plomo y conforme con RoHS

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