IGBT, STGWA30HP65FB, N-Canal, 30 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Emisor común

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Código RS:
202-5515P
Referência do fabricante:
STGWA30HP65FB
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

260 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Emisor común

El IGBT de la serie HB de alta velocidad de STMicroelectronics se ha desarrollado usando una estructura de parada de campo de puerta Trench patentada Advanced. El dispositivo forma parte de la nueva serie HB de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdida de conmutación para maximizar la eficiencia de cualquier convertidor de frecuencia.

Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación suave muy rápida