Módulo IGBT, FP20R06W1E3B11BOMA1, N-Canal, 29 A, 600 V, EASY1B, 22-Pines, 1MHZ Trifásico

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Código RS:
168-8765
Referência do fabricante:
FP20R06W1E3B11BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

29 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

94 W

Tipo de Encapsulado

EASY1B

Configuración

Colector común

Tipo de Montaje

Montaje en PCB

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

22

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Trifásico

Dimensiones

48 x 33.8 x 12mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

COO (País de Origem):
CN

Módulo IGBT, Infineon


La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT discretos y módulos, Infineon


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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