IGBT, IXYN100N120C3, N-Canal, 152 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 20 → 50kHz Simple

Subtotal (1 tubo de 10 unidades)*

352,67 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 20 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de dezembro de 2025
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
10 +35,267 €352,67 €

*preço indicativo

Código RS:
168-4758
Referência do fabricante:
IXYN100N120C3
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Corriente Máxima Continua del Colector

152 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

830 W

Tipo de Encapsulado

SOT-227B

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

4

Velocidad de Conmutación

20 → 50kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

38.2 x 25 x 9.6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origem):
US

IGBT discretos, serie XPT, IXYS


La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector.

Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat)
Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura
Capacidad de cortocircuito de 10 usec
Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva
Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales
Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional


IGBT discretos y módulos, IXYS


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados