IGBT, NGTB35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 163-0258
- Referência do fabricante:
- NGTB35N65FL2WG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
107,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 30 unidade(s) a partir do dia 21 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 3,584 € | 107,52 € |
| 120 - 240 | 2,857 € | 85,71 € |
| 270 - 480 | 2,706 € | 81,18 € |
| 510 - 990 | 2,56 € | 76,80 € |
| 1020 + | 2,264 € | 67,92 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 163-0258
- Referência do fabricante:
- NGTB35N65FL2WG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 70 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 70 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 300 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 1MHZ | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.26 x 5.3 x 21.08mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
Discretos IGBT, ON Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, NGTB35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, NGTB40N65FL2WG, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, NGTG35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines Simple
- IGBT, IKWH70N65WR6XKSA1, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple
- IGBT, FGH75T65SHDTL4, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
- IGBT, STGW20V60F, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple