ROHM CI de transistor único IGBT, RGE60TS65DGC13, Tipo N-Canal, 51 A, 650 V, TO-247GE, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
646-602
Referência do fabricante:
RGE60TS65DGC13
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

51A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Encapsulado

TO-247GE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

30 V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El IGBT de trinchera de parada de campo ROHM está diseñado para aplicaciones de alimentación de alta eficiencia. Dispone de una tensión nominal de 650 V y una capacidad de corriente de 30 A, lo que lo convierte en adecuado para inversores, soldadores y sistemas UPS. Con una tolerancia de cortocircuito de 5 μs y un diodo de recuperación rápida, garantiza baja pérdida de conmutación y alta fiabilidad

Baja tensión de saturación del emisor del colector

Revestimiento de plomo: sin Pb

FRD de recuperación muy rápida y suave integrado

Conforme a RoHS

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