Starpower Módulo IGBT, GD50FSA120L3S, 56 A, Módulo 6
- Código RS:
- 427-822
- Referência do fabricante:
- GD50FSA120L3S
- Fabricante:
- Starpower
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
41,39 €
Adicione 2 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 12 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 41,39 € |
| 10 - 99 | 37,24 € |
| 100 + | 34,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 427-822
- Referência do fabricante:
- GD50FSA120L3S
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 56A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Número de transistores | 6 | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.95V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 56A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Número de transistores 6 | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.95V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El módulo de alimentación Starpower IGBT proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una robustez de cortocircuito. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC
Links relacionados
- IGBT, GD50FFY120C5S, N-Canal, 50 A, 1200 V, Módulo PIM, 28-Pines 6
- IGBT, GD50PIY120C6SN, N-Canal, 50 A, 1200 V, Módulo PIM, 35-Pines 7
- IGBT, GD50PIA120C5SN, N-Canal, 50 A, 1200 V, Módulo PIM, 23-Pines 7
- IGBT, GD75FSY120L3S, N-Canal, 75 A, 1200 V, Módulo PIM 6
- IGBT, GD100FSA120L3SF, N-Canal, 100 A, 1200 V, Módulo PIM 6
- IGBT, GD15PJA120L2S, N-Canal, 15 A, 1200 V, Módulo PIM 7
- IGBT, GD10PJA120L2S, N-Canal, 10 A, 1200 V, Módulo PIM 7
- IGBT, GD35PJA120L3S, N-Canal, 35 A, 1200 V, Módulo PIM 7