IGBT, GD75HFX65C1S, N-Canal, 75 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- Código RS:
- 427-713
- Referência do fabricante:
- GD75HFX65C1S
- Fabricante:
- Starpower
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
35,33 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 30 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 35,33 € |
| 10 - 99 | 31,80 € |
| 100 + | 29,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 427-713
- Referência do fabricante:
- GD75HFX65C1S
- Fabricante:
- Starpower
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Starpower | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 308 W | |
| Configuración | Doble | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje roscado | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 7 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Starpower | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 308 W | ||
Configuración Doble | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje roscado | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 7 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El módulo de alimentación Starpower IGBT proporciona una pérdida de conducción ultrabaja, así como una robustez de cortocircuito. Están diseñados para aplicaciones como inversores generales y UPS.
VCE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC
Temperatura máxima de unión de 175 °C
Caja de baja inductancia
Recuperación inversa rápida y suave anti-FWD paralelo
Placa base de cobre aislado con tecnología DBC
Links relacionados
- IGBT, GD200HFX65C2S, N-Canal, 200 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD400HFX65C2S, N-Canal, 400 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD600HFX65C2S, N-Canal, 600 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD300HFX65C2S, N-Canal, 300 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD200HFX65C1S, N-Canal, 200 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD300HFX65C8SN, N-Canal, 300 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD100HFX65C1S, N-Canal, 100 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2
- IGBT, GD150HFX65C1S, N-Canal, 150 A, 650 V, Módulo, 7-Pines 2