IGBT, IKQ120N65EH7XKSA1, N-Canal, 160 A, 650 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Opções de embalagem:
Código RS:
284-989
Referência do fabricante:
IKQ120N65EH7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

160 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

498 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon con semiconductor de potencia avanzado revoluciona la eficiencia en diversas aplicaciones con sus capacidades de alta velocidad y baja tensión de saturación. Diseñado con la reconocida tecnología TRENCHSTOP IGBT7 de 650 V, destaca en topologías de conmutación dura, lo que lo hace ideal para sistemas SAI industriales, soluciones de carga de vehículos eléctricos e inversores de cadenas. Este robusto componente está cualificado según estrictas normas industriales, lo que garantiza su fiabilidad y longevidad en entornos exigentes.

Utiliza la tecnología de zanjas para mayor eficacia
Minimiza las pérdidas de conmutación para mejorar el rendimiento
Diseñado para ofrecer fiabilidad en condiciones de alta humedad
Características de conmutación suaves para mayor precisión
Diseñado para un uso versátil en electrónica de potencia
Cualificado para aplicaciones industriales según JEDEC
Soporta la vida útil del dispositivo con gestión térmica
Proporciona funciones de simulación con modelos PSpice

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