IGBT, RGT8BM65DGTL1, N-Canal, 12 A, 650 V, TO-252GE, 3-Pines 1
- Código RS:
- 265-325
- Referência do fabricante:
- RGT8BM65DGTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 265-325
- Referência do fabricante:
- RGT8BM65DGTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 12 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±30V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 62 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-252GE | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 12 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±30V | ||
Disipación de Potencia Máxima 62 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-252GE | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Los IGBT de ROHM contribuyen al ahorro de energía de alta eficiencia y a una amplia gama de aplicaciones de alta tensión y alta corriente. El IGBT presenta una baja tensión de saturación de colector a emisor, lo que lo hace muy eficiente para diversas aplicaciones. Ofrece un tiempo de resistencia al cortocircuito de 5 microsegundos, lo que garantiza un rendimiento sólido en condiciones de fallo. Además, lleva incorporado un diodo de recuperación rápida muy rápido y suave de la serie RFN.
Baja pérdida de conmutación
Revestimiento de plomo sin plomo
Conforme con RoHS
Revestimiento de plomo sin plomo
Conforme con RoHS
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