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    Fototransistor NPNOsram Opto sensible a IR, rango onda λ 730 → 1120 nm, corriente Ic 15mA, mont. pasante, 3 mm

    OSRAM Opto Semiconductors
    Código RS:
    665-5362
    Referência do fabricante:
    SFH 309 FA-5
    Fabricante:
    OSRAM Opto Semiconductors

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    Ver tudo Fototransistores
    Temporariamente fora de stock. Disponível a 05/04/2024, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
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    Opções de embalagem:
    Código RS:
    665-5362
    Referência do fabricante:
    SFH 309 FA-5
    Fabricante:
    OSRAM Opto Semiconductors

    Legislação e Conformidade


    Detalhes do produto

    Fototransistor con encapsulado T-1 (3 mm)


    Esta familia de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, se compone de una gama de dispositivos de orificio pasante de 3 mm (T-1). Los dos presentan lentes de plástico negras o transparentes; la lente difusa se utiliza para filtros diurnos. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

    Encapsulado estándar de 3 mm (T-1)
    Montaje de orificio pasante


    Fototransistores de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors

    Especificações

    Atributo
    Valor
    Espectros DetectadosInfrarrojo
    Tiempo de Bajada Típico7µs
    Tiempo de Subida Típico7µs
    Número de Canales1
    Corriente de Luz Máxima7200µA
    Corriente de Oscuridad Máxima200nA
    Ángulo de Sensibilidad Media24 °
    PolaridadNPN
    Número de Pines2
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Encapsulado3 mm (T-1)
    Dimensiones4 x 4 x 5.2mm
    Corriente del Colector15mA
    Mínima Longitud de Onda Detectada730nm
    Máxima Longitud de Onda Detectada1120nm
    Rango Espectral de Sensibilidad730 → 1120 nm
    Longitud4mm
    Anchura4mm
    Altura5.2mm
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