Fotodiodo InGaAs OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, λ sensibilidad máx. 1550nm, mont. pasante, encapsulado TO-8 de 8 pines

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Código RS:
848-6272
Referência do fabricante:
FCI-InGaAs-Q3000
Fabricante:
OSI Optoelectronics
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Marca

OSI Optoelectronics

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

1550nm

Encapsulado

TO-8

Función de amplificador

No

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Número de Pines

8

Material del Diodo

InGaAs

Mínima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1620nm

Tiempo de Bajada Típico

24ns

Longitud

13.97mm

Altura

6.6mm

Fotosensibilidad de Pico

0.95A/W

Diámetro

15.24mm

Serie

FCI-InGaAS

Polaridad

Inverso

Tiempo de Subida Típico

24ns

Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI


La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.

Características:

Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm

Responsividad alta

Bajo ruido

Rango espectral: 900 nm - 1.700 nm

Fotodiodos, OSI Optoelectronics


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