Fotodiodo OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Código RS:
- 848-6272
- Referência do fabricante:
- FCI-InGaAs-Q3000
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
692,39 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 8 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 14 unidade(s) para enviar a partir do dia 05 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 692,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 848-6272
- Referência do fabricante:
- FCI-InGaAs-Q3000
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 1550nm | |
| Encapsulado | TO-8 | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1620nm | |
| Tiempo de caída típico | 24ns | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 13.97mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 6.6mm | |
| Diámetro | 15.24 mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Tensión de ruptura | 30V | |
| Corriente residual | 0.2nA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Polaridad | Inverso | |
| Serie | FCI-InGaAS | |
| Tiempo de subida típico | 24ns | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 1550nm | ||
Encapsulado TO-8 | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Mínima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1620nm | ||
Tiempo de caída típico 24ns | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 13.97mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 6.6mm | ||
Diámetro 15.24 mm | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Tensión de ruptura 30V | ||
Corriente residual 0.2nA | ||
Estándar de automoción No | ||
Polaridad Inverso | ||
Serie FCI-InGaAS | ||
Tiempo de subida típico 24ns | ||
Fotodiodos InGaAs de gran área activa OSI
La serie FCI-InGaAs-xxx-x, de OSI Optoelectronics, son fotodiodos InGaAs de gran área activa. Es una gama de detectores sensibles a infrarrojos que ofrecen responsividad alta (1.100-1.620 nm). Se suministran en encapsulados TO-46 o TO-5 con una ventana plana. Las aplicaciones adecuadas para esta familia de fotodiodos incluye: instrumentación de infrarrojos, control, instrumentación óptica, medida de potencia, detección por infrarrojos y dispositivos médicos.
Características:
Gran área activa: 1 mm, 1,5 mm y 3 mm
Responsividad alta
Bajo ruido
Rango espectral: 900 nm - 1.700 nm
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
Links relacionados
- Fotodiodo FCI-INGAAS-Q3000 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio
- Fotodiodo FCI-InGaAs-1500 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante
- Fotodiodo FCI-INGAAS-120L-FC OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio
- Fotodiodo FCI-INGAAS-1000 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante
- Fotodiodo FCI-InGaAs-3000-20 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio
- Fotodiodo FCI-INGAAS-500 OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo OSI Optoelectronics FCI-InGaAS, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 1550 nm, Orificio pasante de 2 pines