Fotodiodo APD05-8-150-T52L OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante,
- Código RS:
- 177-5570
- Referência do fabricante:
- APD05-8-150-T52L
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 caixa de 5 unidades)*
590,30 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Caixa* |
|---|---|---|
| 5 + | 118,06 € | 590,30 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 177-5570
- Referência do fabricante:
- APD05-8-150-T52L
- Fabricante:
- OSI Optoelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | OSI Optoelectronics | |
| Tipo de producto | Fotodiodo | |
| Espectros detectados | Infrarrojo | |
| Longitud de onda de sensibilidad máxima | 800nm | |
| Encapsulado | TO-52 | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Mínima longitud de onda detectada | 600nm | |
| Máxima longitud de onda detectada | 1100nm | |
| Tiempo de caída típico | 0.6ns | |
| Amplificado | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 3.8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5mm | |
| Ángulo de media sensibilidad | 65 ° | |
| Diámetro | 5.4mm | |
| Tensión de ruptura | 30V | |
| Corriente residual | 0.2nA | |
| Polaridad | Inverso | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tiempo de subida típico | 0.6ns | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca OSI Optoelectronics | ||
Tipo de producto Fotodiodo | ||
Espectros detectados Infrarrojo | ||
Longitud de onda de sensibilidad máxima 800nm | ||
Encapsulado TO-52 | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Mínima longitud de onda detectada 600nm | ||
Máxima longitud de onda detectada 1100nm | ||
Tiempo de caída típico 0.6ns | ||
Amplificado No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 3.8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5mm | ||
Ángulo de media sensibilidad 65 ° | ||
Diámetro 5.4mm | ||
Tensión de ruptura 30V | ||
Corriente residual 0.2nA | ||
Polaridad Inverso | ||
Estándar de automoción No | ||
Tiempo de subida típico 0.6ns | ||
- COO (País de Origem):
- US
Fotodiodos de avalancha de silicio OSI serie APD 8-150
La serie APD 8-150, de OSI Optoelectronics, es una familia de fotodiodos de avalancha de silicio, optimizados para funcionamiento con longitudes de onda de 800 nm. Se suministran en encapsulados metálicos herméticos con opciones de diámetro de área activa de 0,2, 0,5, 1 o 1,5 mm. Los fotodiodos de la serie APD 8-150 ofrecen ruido bajo y alta sensibilidad en los anchos de banda de hasta 1 GHz. Las aplicaciones adecuadas para los fotodiodos APD 8-150 incluyen: comunicación de fibra óptica, medidor de distancias láser y fotometría de alta velocidad.
Características de la serie APD 8-150:
Encapsulados: TO-52 y TO-5
Coeficiente de temperatura bajo: 0,45 V/°C
Alta sensibilidad
Bajo ruido
Ancho de banda alto
Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +100 °C
Fotodiodos, OSI Optoelectronics
Links relacionados
- Fotodiodo OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante, encapsulado TO-52 de 3
- Fotodiodo OSI Optoelectronics Photoconductive, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo APD15-8-150-TO5 OSI Optoelectronics, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 800 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN-SPOT2D OSI Optoelectronics Spot, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo OSD1-E OSI Optoelectronics OSD, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 550 nm, Orificio pasante, encapsulado
- Fotodiodo PIN-5DI OSI Optoelectronics Photoconductive, Luz Visible, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm,
- Fotodiodo PIN-040A OSI Optoelectronics Photoconductive, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,
- Fotodiodo PIN-SPOT2DMI OSI Optoelectronics Spot, Infrarrojo 65 °, λ sensibilidad máx. 970 nm, Orificio pasante,