No EEPROM AT25M01-SSHM-B Microchip, 1 MB, 128 x, 8, SPI, 80 ns, 8 pines SOIC

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,66 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 60 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 51,332 €6,66 €
10 - 201,296 €6,48 €
25 - 451,262 €6,31 €
50 - 701,232 €6,16 €
75 +1,208 €6,04 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
236-8826
Referência do fabricante:
AT25M01-SSHM-B
Fabricante:
Microchip
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Microchip

Tipo de producto

EEPROM

Tamaño de la memoria

1MB

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

20MHz

Organización

128 x 8 bit

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Serie

AT25M0

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Almacenamiento de datos

100year

Número de palabras

128

Corriente de suministro

10mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

80ns

Microchip 1.048.576 bits de memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM) serie organizada en 131.072 palabras de 8 bits cada una. El dispositivo está optimizado para su uso en muchas aplicaciones industriales y comerciales en las que es esencial un funcionamiento de baja potencia y baja tensión.

128K x 8 bits 1 Mbits

Admite los modos SPI 0 y 3

Frecuencia de reloj de hasta 20 MHz

Ciclos de borrado y escritura con temporizador automático de 5 ms como máximo

Corriente de lectura: 10 mA máximo a 20 MHz

Corriente de escritura máxima de 7 mA a 5 V.

Corriente en espera: 3 μA máximo a 1,7 V, 5 μA máximo a 5 V.

Protección contra escritura de bloque: Protección 1/4, 1/2 o toda la matriz

Más de 1 millón de ciclos de borrado/escritura

Retención de datos 100 años

Industrial: –40 °C a 85 °C

Programación de fábrica disponible

Links relacionados