AEC-Q100 EEPROM M24C16-DRMN3TP/K STMicroelectronics, 16 kB, 2k x, 8, Serie I2C, 450 ns, 8 pines SOIC

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

8,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 4200 unidade(s) a partir do dia 11 de março de 2026
  • Mais 50 unidade(s) para enviar a partir do dia 11 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 +0,332 €8,30 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
190-7639
Referência do fabricante:
M24C16-DRMN3TP/K
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tamaño de la memoria

16kB

Tipo de producto

EEPROM

Tipo de interfaz

Serie I2C

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

1MHz

Organización

2K x 8 bit

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Longitud

5mm

Altura

1.75mm

Serie

M24C16-A125

Anchura

150 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de palabras

2k

Corriente de suministro

2mA

Almacenamiento de datos

100year

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de acceso aleatorio máximo

450ns

Compatible con todos los modos de bus I2C

1 MHz

400 kHz

100 kHz

Matriz de memoria

16 Kbits (2 Kbytes) de la memoria EEPROM

Tamaño de página: 16 bytes

Página adicional con bloqueo de escritura (página de identificación)

Rangos de temperatura y tensión ampliados

De -40 °C a 125 °C, de 1,7 V a 5,5 V.

Entradas de activación Schmitt para filtrado de ruido

Tiempo de ciclo de escritura corta

Byte escribir dentro de 4 ms

Escritura de página dentro de 4 ms

Escribir resistencia de ciclo

4 millones de ciclos de escritura a 25 °C.

1,2 millones ciclos de escritura a 85 °C.

600 k ciclos de escritura a 125 °C.

Retención de datos

50 años a 125 °C.

100 años a 25 °C.

Protección contra ESD

4.000 V

Paquetes

Libre de halógenos

Links relacionados