onsemi AEC-Q100 MOSFET MOSFET NCV57090FDWR2G 6.5 A 1 SOIC 8 pines 22 V

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Código RS:
233-6842
Referência do fabricante:
NCV57090FDWR2G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Corriente de Salida

6.5A

Número de pines

8

Tiempo de caída

13ns

Encapsulado

SOIC

Tipo de unidad

MOSFET

Tiempo de subida

13ns

Tensión de alimentación mínima

22V

Número de drivers

1

Tensión de alimentación máxima

22V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Serie

NCx57090y

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.65mm

Longitud

7.6mm

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

AEC-Q100

EL ON Semiconductor NCV57090FDWR2G es un controlador de puerta IGBT/MOSFET de un canal de alta corriente con aislamiento galvánico interno de 5 kVrms, diseñado para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. Los dispositivos aceptan entradas complementarias y, en función de la configuración de contactos, ofrecen opciones como abrazadera Miller activa para mayor comodidad de diseño del sistema. Tiene una caída de tensión de abrazadera baja que elimina la necesidad de fuente de alimentación negativa para evitar el encendido de puerta falso. El controlador admite una amplia gama de niveles de señal y tensión de polarización de entrada de 3,3 V a 20 V y están disponibles en encapsulado SOIC−8 de cuerpo amplio.

Tiene alta corriente de salida Peak (+6,5 A/−6,5 A)

Proporciona retardos de propagación cortos con ajuste preciso

Ofrece fijación de puerta IGBT/MOSFET durante cortocircuito

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