STMicroelectronics AEC-Q101 Diodo TVS Unidireccional 1, 600 W, SMB, 2 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal 125 unidades (fornecido em tira contínua)*

19,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 275 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
125 - 2250,156 €
250 - 6000,142 €
625 - 12250,138 €
1250 +0,134 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
192-5100P
Referência do fabricante:
SMB6F13AY
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Diodo TVS

Tipo de dirección

Unidireccional

Configuración de diodo

Simple

Tensión mínima de ruptura Vbr

14.4V

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SMB

Tensión de corte inversa máxima Vwm

13V

Número de pines

2

Disipación de potencia de pico de pulso Pppm

600W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de sujeción VC

27.2V

Corriente de prueba lt

1mA

Protección contra descarga electrostática ESD

Corriente de pico de pulsos máxima lppm

147A

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Número de elementos por chip

1

Altura

1.05mm

Longitud

3.95mm

Anchura

4.6 mm

Serie

SMB6FxxAY

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Corriente de fugas inversa máxima

1μA

COO (País de Origem):
MA
La serie SMB6FxxAY está diseñada para proteger circuitos automotrices sensibles contra sobretensiones y descargas electrostáticas. La tecnología Planar lo hace compatible con circuitos de gama alta donde se requiere una corriente de fuga baja y una temperatura de unión alta para proporcionar fiabilidad y estabilidad a largo plazo.

Potencia Peak pulse: 600 W (10/1000 μs) y 4 kW (8/20 μs)

Encapsulado plano y delgado: 1 mm

Rango de tensión de desconexión de 5 V a 188 V

Tipo unidireccional

Baja corriente de fuga: 0,2 μA a 25 °C y 1 μA a 85 °C.

Funcionamiento Tj máx: 175 °C.

Alta capacidad de potencia a Tj máx.: Hasta 470 W (10/1000 μs)

Acabado de plomo: Estañado mate