STMicroelectronics Diodo TVS Unidireccional 1, 400 W, SMA plana, 2 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal 125 unidades (fornecido em tira contínua)*

36,25 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 400 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
125 - 2250,29 €
250 - 6000,261 €
625 - 12250,234 €
1250 +0,223 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
192-4366P
Referência do fabricante:
SMA4F13A
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Diodo TVS

Configuración de diodo

Simple

Tipo de dirección

Unidireccional

Tensión mínima de ruptura Vbr

14.4V

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

SMA plana

Tensión de corte inversa máxima Vwm

13V

Número de pines

2

Disipación de potencia de pico de pulso Pppm

400W

Tensión de sujeción VC

27.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Corriente de prueba lt

1mA

Corriente de pico de pulsos máxima lppm

85A

Protección contra descarga electrostática ESD

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Número de elementos por chip

1

Longitud

4.6mm

Serie

SMA4FxxA

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Corriente de fugas inversa máxima

1μA

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MA
La serie SMA4F Transul está diseñada para proteger circuitos sensibles contra sobretensiones transitorias. La tecnología plana la hace compatible con circuitos de gama alta donde se requiere una corriente de fuga baja y una temperatura de unión alta para proporcionar fiabilidad y estabilidad a largo plazo.

Peak pulse power: 400 W (10/1000 μs) y 2,5 kW (8/20 μs)

Encapsulado plano y delgado: 1 mm

Rango de tensión de desconexión de 5 V a 188 V

Tipo unidireccional

Baja corriente de fuga: 0,2 μA a 25 °C y 1 μA a 85 °C.

Funcionamiento Tj máx: 175 °C.

Alta capacidad de potencia a Tj máx.: Hasta 200 W (10/1000 μs)

Acabado de plomo: Estañado mate