MOSFET | RS
Inicie sessão / Registe-se para aceder aos benefícios da sua conta
Pesquisas recentes

    MOSFET

    Los MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, corresponden a las siglas de "Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors" que en castellano significan transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor. El objetivo de un MOSFET es regular la tensión de salida a partir de una tensión de entrada.Estos componentes semiconductores son CI (circuitos integrados) que se montan en placas de circuito impreso (PCB). Los MOSFET están disponibles en una gran variedad de encapsulados como DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 y TO-220.

    ¿Cómo funcionan los MOSFETs?

    Los pines de un componente MOSFET son la Fuente, la Puerta y el Drenador. Cuando se aplica una tensión entre los terminales de la Puerta y la Fuente, la corriente puede pasar del terminal de Drenador al de Fuente. Cuando la tensión aplicada a la puerta cambia, la resistencia del canal Drenador-Fuente también cambia. Cuanto menor sea la tensión aplicada, mayor será la resistencia. A medida que la tensión aumenta, la resistencia del canal Drenador-Fuente disminuirá.Los MOSFETs de potencia son como los MOSFETs estándar, pero están diseñados para manejar un mayor nivel de potencia.

    MOSFETs de canal N vs canal P

    Dependiendo de los materiales utilizados y de la forma de fabricarlos, podemos encontrar dos tipos de transistores MOS, los MOSFET de canal N y los de canal P.

    Los MOSFETs de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son el tipo de canal más popular. Los MOSFETs de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

    Los MOSFETs de canal P contienen en su sustrato electrones y huecos electrónicos. Los MOSFET de canal P se conectan a una tensión positiva. Estos MOSFETs se encienden cuando la tensión suministrada al terminal de puerta es inferior a la tensión de la fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

    ¿Qué son los modos de empobrecimiento y enriquecimiento?

    Los transistores MOSFET tienen dos modos: empobrecimiento y enriquecimiento. Los MOSFET de empobrecimiento funcionan como un interruptor cerrado. La corriente pasa cuando no se aplica ninguna corriente. El flujo de corriente se detiene si se aplica una tensión negativa. Los MOSFETs de enriquecimiento son como una resistencia variable y suelen ser más populares que los de empobrecimiento. Se presentan en variantes de canal N o canal P.

    18446 resultados para MOSFET

    Vishay
    P
    226 A.
    40 V
    0,004 Ω
    P-Channel 40 V
    POWERPAK 8 x 8L
    2.5V
    Montaje superficial
    4
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Nexperia
    P
    1 A
    20 V
    200 mΩ
    -
    SOT-323
    1.15V
    Montaje superficial
    3
    0.65V
    -12 V, +12 V
    Mejora
    1,67 W
    -
    Simple
    1.35mm
    2,6 nC a 4,5 V
    2.2mm
    Si
    1
    +150 °C
    Vishay
    N
    960 mA
    200 V
    1,5 Ω
    -
    SOT-223
    -
    Montaje superficial
    3
    2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    3,1 W
    -
    Simple
    3.7mm
    8,2 nC a 10 V
    6.7mm
    Si
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    20 A
    1.200 V
    160 m.Ω
    CoolMOS™ P7
    TO-220 FP
    4.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    Infineon
    N
    50 A
    1200 V
    -
    EasyDUAL
    AG-EASY1B
    -
    -
    23
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    2
    -
    Nexperia
    N
    3,2 A
    30 V
    87 mΩ
    -
    DFN1010D-3
    2V
    Montaje superficial
    4
    1V
    20 V
    Mejora
    8,33 W
    -
    Simple
    1.05mm
    3,6 nC a 10 V
    1.15mm
    -
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    148 A
    150 V
    -
    OptiMOS
    PG-TTFN-9
    -
    Montaje superficial
    9
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    1
    -
    Vishay
    N
    7.5 A
    30 V
    19,5 mΩ
    -
    SOIC
    -
    Montaje superficial
    8
    1.2V
    -20 V, +20 V
    Mejora
    2000 mW
    -
    Aislado
    4mm
    14,5 nC a 10 V, 7,1 nC a 4,5 V
    5mm
    Si
    2
    +150 °C
    DiodesZetex
    N
    10 A
    20 V
    14 mΩ
    -
    WDFN
    1.1V
    Montaje superficial
    6
    0.5V
    -8 V, +8 V
    Mejora
    2,14 W
    -
    Aislado
    5.1mm
    57,4 nC a 8 V
    2.1mm
    Si
    2
    +150 °C
    Infineon
    -
    1,7 A
    -
    -
    -
    PG-TO 252
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    DiodesZetex
    N
    5 A
    30 V
    0,075 Ω
    -
    U-DFN2020
    1.5V
    Montaje superficial
    6
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    Infineon
    N
    31 A
    600 V
    0,07 Ω
    CoolMOS™ CFD7
    TO-247
    4.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    DiodesZetex
    N
    16,2 A, 98 A
    60 V
    0,0062 Ω
    DMT6006
    PowerDI5060-8
    4V
    Montaje superficial
    8
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    1
    -
    Infineon
    N
    48 A
    60 V
    -
    -
    SuperSO8 5 x 6
    -
    Montaje superficial
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Vishay
    N
    50 A
    60 V
    -
    -
    TO-220AB
    -
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    Mejora
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    100 A
    30 V
    2,9 mΩ
    OptiMOS™ 3
    TDSON
    2.2V
    Montaje superficial
    8
    1V
    +20 V
    Mejora
    96 W
    -
    Simple
    6.35mm
    34 nC a 4,5 V
    5.35mm
    -
    1
    +150 °C
    Infineon
    N
    7,7 A
    30 V
    -
    -
    PG-TO252-3
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    N
    12,5 A
    700 V
    0,36 Ω
    CoolMOS™ P7
    IPAK SL (TO-251 SL)
    3.5V
    Montaje en orificio pasante
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    Infineon
    N
    9,2 A
    12 V
    -
    HEXFET
    SO-8
    -
    Montaje en orificio pasante
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Vishay
    N
    15 A
    600 V
    -
    -
    D2PAK (TO-263)
    -
    Montaje superficial
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Resultados por página