Dispositivo lógico de programación sencilla SPLD ATF22V10C-10PU, ATF22V10C 500 puertas, 10 macrocélulas, 22 I/O, ISP,
- Código RS:
- 177-1505
- Referência do fabricante:
- ATF22V10C-10PU
- Fabricante:
- Microchip
135 Disponível para entrega em 24/48 horas
Preço unitário (Em Tubo de 15)
2,447 €
| Unidades | Por unidade | Por Tubo* |
| 15 - 15 | 2,447 € | 36,705 € |
| 30 - 90 | 2,391 € | 35,865 € |
| 105 + | 2,263 € | 33,945 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 177-1505
- Referência do fabricante:
- ATF22V10C-10PU
- Fabricante:
- Microchip
- COO (País de Origem):
- TW
El dispositivo lógico programable (PLD) CMOS de alto rendimiento con memoria flash eléctricamente borrable de Microchip admite velocidades de hasta 25 ns. Todos los rangos de velocidad oscilan dentro del rango de 3,0 V a 5,5 V para rangos de temperatura industrial y comercial. El dispositivo ofrece una solución PLD CMOS de potencia cero, detección óptima y baja tensión con una potencia cero en espera (5 μA típica).
Características:
Rango de funcionamiento: 3,0 V a 5,5 V
Dispositivo lógico programable eléctricamente borrable de baja tensión avanzado
Opción de contacto de desconexión controlado por el usuario
en el modo de potencia en espera controlado (10 μA típ.)
Ideal para sistemas con alimentación por batería
Retardo de propagación máximo de 10 ns
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
La función de bloqueo retiene las entradas en los estados lógicos previos
Tecnología eléctricamente borrable avanzada
Reprogramable
Proceso CMOS de alta fiabilidad totalmente probado
Retención de datos de 20 años
100 de ciclos de borrado/escritura
Protección contra ESD de 2.000 V, protección contra bloqueo de 200 mA
Rangos de temperatura industrial
Rango de funcionamiento: 3,0 V a 5,5 V
Dispositivo lógico programable eléctricamente borrable de baja tensión avanzado
Opción de contacto de desconexión controlado por el usuario
en el modo de potencia en espera controlado (10 μA típ.)
Ideal para sistemas con alimentación por batería
Retardo de propagación máximo de 10 ns
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
La función de bloqueo retiene las entradas en los estados lógicos previos
Tecnología eléctricamente borrable avanzada
Reprogramable
Proceso CMOS de alta fiabilidad totalmente probado
Retención de datos de 20 años
100 de ciclos de borrado/escritura
Protección contra ESD de 2.000 V, protección contra bloqueo de 200 mA
Rangos de temperatura industrial
Atributo | Valor |
|---|---|
| Nombre de la Familia | ATF22V10C |
| Número de Puertas | 500 |
| Número de Macrocélulas | 10 |
| Número de E/Ss del Usuario | 22 |
| Programabilidad en Sistema | En el sistema |
| Soporte de Reprogramabilidad | Sí |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | PDIP |
| Conteo de Pines | 24 |
| Tipo de Retardo de Propagación Máxima | 5ns |
| Tecnología de Fabricación | CMOS |
| Dimensiones | 32.13 x 7.11 x 4.95mm |
| Altura | 4.95mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Ancho | 7.11mm |
| Longitud | 32.13mm |
| Condición de Prueba de Retardo de Propagación | 50pF |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
- Código RS:
- 177-1505
- Referência do fabricante:
- ATF22V10C-10PU
- Fabricante:
- Microchip
- COO (País de Origem):
- TW
El dispositivo lógico programable (PLD) CMOS de alto rendimiento con memoria flash eléctricamente borrable de Microchip admite velocidades de hasta 25 ns. Todos los rangos de velocidad oscilan dentro del rango de 3,0 V a 5,5 V para rangos de temperatura industrial y comercial. El dispositivo ofrece una solución PLD CMOS de potencia cero, detección óptima y baja tensión con una potencia cero en espera (5 μA típica).
Características:
Rango de funcionamiento: 3,0 V a 5,5 V
Dispositivo lógico programable eléctricamente borrable de baja tensión avanzado
Opción de contacto de desconexión controlado por el usuario
en el modo de potencia en espera controlado (10 μA típ.)
Ideal para sistemas con alimentación por batería
Retardo de propagación máximo de 10 ns
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
La función de bloqueo retiene las entradas en los estados lógicos previos
Tecnología eléctricamente borrable avanzada
Reprogramable
Proceso CMOS de alta fiabilidad totalmente probado
Retención de datos de 20 años
100 de ciclos de borrado/escritura
Protección contra ESD de 2.000 V, protección contra bloqueo de 200 mA
Rangos de temperatura industrial
Rango de funcionamiento: 3,0 V a 5,5 V
Dispositivo lógico programable eléctricamente borrable de baja tensión avanzado
Opción de contacto de desconexión controlado por el usuario
en el modo de potencia en espera controlado (10 μA típ.)
Ideal para sistemas con alimentación por batería
Retardo de propagación máximo de 10 ns
Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS
La función de bloqueo retiene las entradas en los estados lógicos previos
Tecnología eléctricamente borrable avanzada
Reprogramable
Proceso CMOS de alta fiabilidad totalmente probado
Retención de datos de 20 años
100 de ciclos de borrado/escritura
Protección contra ESD de 2.000 V, protección contra bloqueo de 200 mA
Rangos de temperatura industrial
Atributo | Valor |
|---|---|
| Nombre de la Familia | ATF22V10C |
| Número de Puertas | 500 |
| Número de Macrocélulas | 10 |
| Número de E/Ss del Usuario | 22 |
| Programabilidad en Sistema | En el sistema |
| Soporte de Reprogramabilidad | Sí |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | PDIP |
| Conteo de Pines | 24 |
| Tipo de Retardo de Propagación Máxima | 5ns |
| Tecnología de Fabricación | CMOS |
| Dimensiones | 32.13 x 7.11 x 4.95mm |
| Altura | 4.95mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 5,5 V |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 4,5 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Ancho | 7.11mm |
| Longitud | 32.13mm |
| Condición de Prueba de Retardo de Propagación | 50pF |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |