Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple

Código RS:: 790-5315
Referência do fabricante:: MJD112-1G
Fabricante:: onsemi

Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple

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Código RS:: 790-5315
Referência do fabricante:: MJD112-1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet - MJD112-1G
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente Máxima Continua del Colector	2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	100 V
Tensión Máxima Emisor-Base	5 V
Tipo de Encapsulado	IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Configuración de transistor	Simple
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia Mínima de Corriente DC	1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor	4 V
Tensión Base Máxima del Colector	100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector	20µA
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.73mm
Dimensiones	6.73 x 2.38 x 6.35mm
Ancho	2.38mm
Altura	6.35mm
Disipación de Potencia Máxima	20 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C

Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple

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