NVRAM Renesas Electronics M3032316045NX0IBCY, 48 pines, FBGA, 32MB, 45ns, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V

Renesas M3xxx316 es una memoria de acceso aleatorio (MRAM) magnetorresistiva. Se ofrece en una densidad que oscila entre 4Mbit y 32Mbit. La tecnología MRAM es análoga a la tecnología flash con temporizaciones de lectura/escritura de 35ns/35ns y 45ns/45ns compatibles con SRAM (SRAM persistente, P-SRAM). Los datos siempre son no volátiles. Esto hace que MRAM sea una solución de memoria no volátil muy fiable y rápida. MRAM es una verdadera memoria de acceso aleatorio

Ideal para aplicaciones que deben almacenar y recuperar datos sin incurrir en grandes penalidades de latencia La interfaz es paralela La tecnología x16 asíncrona utilizada es 40nm pMTJ STT-MRAM El rango de tensión de funcionamiento es de 2,70V V a 3,60V V El tipo de encapsulado es de 48 bolas FBGA (10mm x 10mm) conforme con RoHS y CONFORME CON REACH