MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 1 kV, ID 3.1 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
919-4508
Referência do fabricante:
IRFBG30PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

IRFBG

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.7 mm

Altura

9.01mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.41mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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