MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 1 kV, ID 3.1 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4508
- Referência do fabricante:
- IRFBG30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
63,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,26 € | 63,00 € |
| 100 - 200 | 1,071 € | 53,55 € |
| 250 + | 1,008 € | 50,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-4508
- Referência do fabricante:
- IRFBG30PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Serie | IRFBG | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Altura | 9.01mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Serie IRFBG | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Altura 9.01mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFBG30PBF, VDSS 1 kV, ID 3.1 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 1 kV, ID 1.4 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 6.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1 kV, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF8NK100Z, VDSS 1 kV, ID 6.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP8NK100Z, VDSS 1 kV, ID 6.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP5NK100Z, VDSS 1 kV, ID 3.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
