MOSFET Texas Instruments CSD25304W1015T, VDSS 20 V, ID 3 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	DSBGA
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	92 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.15V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.55V
Disipación de Potencia Máxima	750 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,3 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.5mm
Longitud	1mm
Material del transistor	Si
Tensión de diodo directa	1V
Serie	NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C