MOSFET Infineon BSB028N06NN3GXUMA1, VDSS 60 V, ID 90 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 906-4306P
Referência do fabricante:: BSB028N06NN3GXUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSB028N06NN3GXUMA1, VDSS 60 V, ID 90 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, , config. Simple

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Código RS:: 906-4306P
Referência do fabricante:: BSB028N06NN3GXUMA1
Fabricante:: Infineon

BSB028N06NN3G OptiMOS 3 Power MOSFET
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	MG-WDSON-2
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	78 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.35mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	108 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	5.05mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	0.53mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C

MOSFET Infineon BSB028N06NN3GXUMA1, VDSS 60 V, ID 90 A, MG-WDSON-2 de 7 pines, , config. Simple

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MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V