MOSFET Texas Instruments CSD19536KTTT, VDSS 100 V, ID 272 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 900-9857P
- Referência do fabricante:
- CSD19536KTTT
- Fabricante:
- Texas Instruments
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Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua
5,72 €
Unidades | Por unidade |
|---|---|
| 5 - 9 | 5,72 € |
| 10 - 14 | 5,53 € |
| 15 - 24 | 5,50 € |
| 25 + | 5,31 € |
- Código RS:
- 900-9857P
- Referência do fabricante:
- CSD19536KTTT
- Fabricante:
- Texas Instruments
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
Transistores MOSFET, Texas Instruments
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 272 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Serie | NexFET |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,8 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 10.67mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 118 nC a 0 V |
| Ancho | 9.65mm |
| Altura | 4.83mm |
| Tensión de diodo directa | 1.1V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |