MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 831-2865P
Referência do fabricante:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 831-2865P
Referência do fabricante:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7103, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	50 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12 nC a 10 V
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon