MOSFET Infineon IRL2910STRLPBF, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 830-3290P
Referência do fabricante:: IRL2910STRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRL2910STRLPBF, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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50 - 120	2,542 €
125 - 245	2,362 €
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**preço indicativo

Código RS:: 830-3290P
Referência do fabricante:: IRL2910STRLPBF
Fabricante:: Infineon

IRL2910S/LPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Ancho	9.65mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	140 nC a 5 V
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET Infineon IRL2910STRLPBF, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon