Serviços
Novidades
Ajuda online
Seguimento de Encomendas
Iniciar sessão / Registo
Inicie sessão
/
Registe-se
para aceder aos benefícios da sua conta
Menu
Referência do fabricante
Pesquisas recentes
Automatización y Control de Procesos
Cables y Conductores
Cajas, Armarios y Envolventes
Climatización y Gestión Térmica
Fusibles y Interruptores Automáticos
Iluminación
Interruptores
Relés y Acondicionamiento de Señales
Componentes Pasivos
Conectores
Displays y Optoelectrónica
Fuentes de Alimentación y Transformadores
Pilas, Baterías y Cargadores
Protección ESD, Sala Blanca y Prototipado PCB
Raspberry Pi, Arduino, ROCK y Módulos de Desarrollo
Semiconductores
Adhesivos, Sellantes y Cintas
Almacenaje, Manutención y Elevación
Herramienta Eléctrica y Soldadura
Herramientas Manuales
Materiales de Ingeniería, Aceros y Perfiles
Neumática e Hidráulica
Rodamientos y Juntas
Tornillería y Fijaciones
Transmisión de Potencia Mecánica
Tuberías y Canalizaciones
Consumibles para Oficina
Entorno de Trabajo Seguro
Equipos de Protección Individual y Ropa de Trabajo
Informática y Periféricos
Limpieza y Mantenimiento de Instalaciones
Prueba y Medida
Seguridad y Herrajes para Puertas y Ventanas
/
Semiconductores
/
Semiconductores Discretos
/
MOSFET
MOSFET Toshiba TK7P60W,RVQ(S, VDSS 600 V, ID 7 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Código RS:
827-6274P
Referência do fabricante:
TK7P60W,RVQ(S
Fabricante:
Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Ver tudo MOSFET
Produto Descatalogado
Código RS:
827-6274P
Referência do fabricante:
TK7P60W,RVQ(S
Fabricante:
Toshiba
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Especificações
TK7P60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem):
CN
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Atributo
Valor
Tipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Serie
TK
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
6.1mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 °C
Altura
2.3mm