MOSFET Toshiba TK62J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-6246
Referência do fabricante:: TK62J60W,S1VQ(O
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK62J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 827-6246
Referência do fabricante:: TK62J60W,S1VQ(O
Fabricante:: Toshiba

TK62J60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-3PN
Serie	TK
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	40 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Disipación de Potencia Máxima	400 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Ancho	4.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	180 nC a 10 V
Longitud	15.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	20mm

MOSFET Toshiba TK62J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba