MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-6191P
Referência do fabricante:: TK32E12N1,S1X(S
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS: 168-7971

Preço unitário (Em Tubo de 50)

0,766 €

Código RS:: 827-6191P
Referência do fabricante:: TK32E12N1,S1X(S
Fabricante:: Toshiba

TK32E12N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	TK
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13,8 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Disipación de Potencia Máxima	98 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	4.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 10 V
Longitud	10.16mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Altura	15.1mm

MOSFET Toshiba TK32E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 60 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Produto Alternativo

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba