MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-6113P
Referência do fabricante:: TK12E60W,S1VX(S
Fabricante:: Toshiba

MOSFET Toshiba TK12E60W,S1VX(S, VDSS 600 V, ID 11,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Produto Descatalogado

Código RS:: 827-6113P
Referência do fabricante:: TK12E60W,S1VX(S
Fabricante:: Toshiba

TK12E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Serie	TK
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	300 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Disipación de Potencia Máxima	110 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 10 V
Longitud	10.16mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.45mm
Altura	15.1mm