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    MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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    Unidades

    Preço Unidade (fornecido em tubo)

    3,33 €

    Unidades
    Por unidade
    26 +3,33 €
    Opções de embalagem:
    Código RS:
    827-4919P
    Referência do fabricante:
    CSD19536KCS
    Fabricante:
    Texas Instruments

    Atributo
    Valor
    Tipo de CanalN
    Corriente Máxima Continua de Drenaje259 A
    Tensión Máxima Drenador-Fuente100 V
    Tipo de EncapsuladoTO-220
    SerieNexFET
    Tipo de MontajeMontaje en orificio pasante
    Conteo de Pines3
    Resistencia Máxima Drenador-Fuente3,2 mΩ
    Modo de CanalMejora
    Tensión de umbral de puerta máxima3.2V
    Tensión de umbral de puerta mínima2.1V
    Disipación de Potencia Máxima375 W
    Configuración de transistorSimple
    Tensión Máxima Puerta-Fuente-20 V, +20 V
    Ancho4.7mm
    Longitud10.67mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+175 °C
    Material del transistorSi
    Número de Elementos por Chip1
    Carga Típica de Puerta @ Vgs118 nC a 10 V
    Altura16.51mm
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-55 °C