MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-4919P
Referência do fabricante:: CSD19536KCS
Fabricante:: Texas Instruments

MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 827-4919P
Referência do fabricante:: CSD19536KCS
Fabricante:: Texas Instruments

ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	259 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	NexFET
Tipo de Encapsulado	TO-220
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	375 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	118 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Material del transistor	Si
Altura	16.51mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Texas Instruments CSD19536KCS, VDSS 100 V, ID 259 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments