MOSFET Infineon IRFB31N20DPBF, VDSS 200 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 827-3947P
Referência do fabricante:: IRFB31N20DPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFB31N20DPBF, VDSS 200 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 827-3947P
Referência do fabricante:: IRFB31N20DPBF
Fabricante:: Infineon

IRFB31N20DPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	82 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	200 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	70 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	4.69mm
Longitud	10.54mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	15.24mm

MOSFET Infineon IRFB31N20DPBF, VDSS 200 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon