MOSFET Infineon IRF7317TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, 6,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8875
Referência do fabricante:: IRF7317TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7317TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, 6,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 826-8875
Referência do fabricante:: IRF7317TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,3 A, 6,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	46 mΩ, 98 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	0.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 4,5 V (canal N), 19 nC a 4,5 V (canal P)
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF7317TRPBF, VDSS 20 V, ID 5,3 A, 6,6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon