MOSFET Texas Instruments CSD25483F4T, VDSS 20 V, ID 1,6 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	PICOSTAR
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,07 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,959 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	0.64mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Serie	FemtoFET
Altura	0.35mm