MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 818-1444P
Referência do fabricante:: SI9407BDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 818-1444P
Referência do fabricante:: SI9407BDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si9407BDY, P-Channel 60V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	14,5 nC a 10 V
Longitud	5mm
Altura	1.55mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay SI9407BDY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor