MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 818-1380P
Referência do fabricante:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 818-1380P
Referência do fabricante:: SI7121DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si7121DN, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	9,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 1212-8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	26 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	27,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	33 nC a 10 V
Ancho	3.15mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50 °C
Altura	1.07mm

MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor