MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3063P
Referência do fabricante:: Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

1540 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,228 €

Unidades	Por unidade
200 - 480	0,228 €
500 - 980	0,163 €
1000 - 1980	0,13 €
2000 +	0,114 €

Código RS:: 812-3063P
Referência do fabricante:: Si1416EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si1416EDH, N-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	77 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	2,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	7,5 nC a 10 V
Longitud	2.2mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay Si1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor