MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 786-3606P
Referência do fabricante:: STD10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 786-3606P
Referência do fabricante:: STD10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

ST*10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	85 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Ancho	6.2mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13,5 nC a 10 V
Longitud	6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	2.4mm
Serie	MDmesh M2
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics